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樣品的制備我們通過對LED基板、LED芯片j、焊料等封裝原材料進行合理選擇以及對封裝結構和工藝的有效改善，來提高大功率LED的可靠性。對于芯片我們選擇垂直結構LED芯片，它的兩個電極分別在LED外延層的兩側，通過圖形化的N電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，橫向流動的電流極少，可以避免正裝結構的電流擁擠問題，提高發光效率，同時也解決了P極的遮光問題，提升了LED的發光面積。對于基板我們采用DLC鋁基板作為LED器件的基板，DLC鋁基板是以類金剛石薄膜DLC(DiamondLikeCarbon)取代常規鋁質印刷電路板上的環氧樹脂絕緣層，環氧樹脂的熱傳導系數(0．5W／(m·K))比鋁(275W／(m·K))低數百倍，LED芯片產生的熱久聚難散。DLC的熱傳導系數(500W／(m·K))比銅(400W／(m·K))還要高，因為可以達到顯著的冷卻效果。另外DLC具備極佳的熱擴散性、熱均勻性、高崩潰電壓和高電阻等理想絕緣材料的性能，有效提升了大功率LED產品的壽命與可靠性，提升了光輸出強度及降低光衰減情形。隨著LED光源功率的增大，需要將多個LED芯片集成封裝，COB封裝就是將多顆LED芯片直接封裝在基板上，以強化LED的散熱性能，解決大功率封裝所產生的高熱量。它的優勢為低熱阻、低封裝成本及單一封裝體的高流明輸出J。我們選擇背面蒸鍍有3m厚AuSn的LED芯片，而DLC基板的電極表面鍍了3m厚的Au，這樣芯片和基板之間就可以直接采用AuSn共晶焊接的方式來粘接。AuSn共晶焊接可實現大功率LED中芯片與基板的高效聯接，可以極大地提升大功率LED器件對散熱的要求，其具有熱導率高、阻抗小、傳熱快、可靠性強、粘接后剪切力大等優點。LED芯片固晶后，利用KS焊線機進行自動焊線、實現芯片之間和芯片與基板之間的電極互聯。我們在基板上焊接了4顆45x45mil的芯片，以實現10W的電功率輸出。芯片之間采用全串聯方式連接，根據需要也可以采用先串后并的方式。芯片焊線后接著是點熒光粉膠、灌封、蓋透鏡等常規封裝工藝。圖1是10WCOB集成LED光源的結構設計示意圖，圖2是它的實物照片。
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